期刊刊名：大葉學報 　 卷期：12卷1期

篇名出版日期：2003年6月1日

作者：黃俊達,林朝陽

語言：Chinese

關鍵字：AlGaInP雷射二極體,起振電流,斜率效率,特性溫度,AlGaInP laser diode, threshold current, slope efficiency and characteristic temperature

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摘要：
本篇論文主要是利用爐管將二氧化矽退火，使得二氧化矽的緻密性更高，來改善AlGaInP雷射二極體特性並探討氧化層退火溫度對元件的影響。本實驗是在爐管中通入氮氣退火二氧化矽，並改變退火溫度在300℃~450℃之間以探討最佳的退火條件。本實驗得知隨著氧化層退火溫度的上升，起振電流跟著降低，由未經退火的32.82mA 降至450℃ 退火的24.83mA，而斜率效率也由未經退火的0.57W/A 上升到300℃ 退火的0.8W/A；所以可見藉由氧化層退火可有效的降低起振電流與增加斜率效率。除此之外，我們並改變工作溫度來探討AlGaInP 雷射二極體的溫度穩定性，得到本元件可在90℃ 正常操作且代表溫度穩定性的特性溫度T0 從未經退火的110.9K 上升到450℃ 退火的116.6K，可知氧化層退火溫度的上升所得到的元件溫度穩定度較高。而就目前所知本論文是首先利用二氧化矽退火來改善AlGaInP 雷射二極體的電特性。

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