期刊刊名：科學與工程技術期刊 　 卷期：4卷3期

篇名出版日期：2008年9月1日

作者：黃俊達,卓其何

語言：Chinese

關鍵字：多孔矽,光暗電流比,整流比,抗反射層,porous silicon,photo-to-dark current ratio,rectification ratio,antireflection layer

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摘要：
本文利用光電化學蝕刻的方式在室溫下成長多孔矽薄膜當作表面抗反射層來形成PS（porous silicon）/N-S的結構。光電化學蝕刻的方法來成長多孔矽層具有低成本，且經濟效益高與矽製程相容等優點。利用掃描式電子顯微鏡來觀察多孔矽結構，且討論Al/PS/n-Si/Al元件的光電特性，分別量測不照光和照射鹵素燈I-V特性曲線圖，而得到光暗電流比（photo-to-dark current ratio, Ip/Id）、整流比（rectification ratio, If/Id）；並利用分光光度計量測多孔矽抗反射層（antireflection layer）的反射率，得到1% 的反射率，這個反射率甚低於傳統KOH（potassium hydroxide）蝕刻的金字塔型結構抗反射層。

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