期刊刊名：黎明學報 　 卷期：23卷2期

篇名出版日期：2012年7月31日

作者：李文德,朱健誠 ,雷健明 ,王錫九

語言：Chinese

關鍵字：直流濺鍍,Ge₂Sb₂Te₅相,退火,穿透率,繞射圖案,DC-sputtering, Ge₂Sb₂Te₅, annealing, transmittance, x-ray diffraction

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摘要：
本實驗使用直流濺鍍法製備單層與雙層Ge₂Sb₂Te₅化合物薄膜，實驗結果顯示，藉由雙層薄膜的製程方法可以得到性質更佳的薄膜。其中，雙層Ge₂Sb₂Te₅化合物薄膜之製備，係以20W作為薄膜沉積的直流濺鍍功率，並以濺鍍時直接加熱法，或濺鍍後進行退火處理法，作為本實驗比較樣品的製程區別。 由XRD及SEM觀察，我們發現單層薄膜樣品的平面繞射峰值強度訊號微弱，厚度約40nm；雙層薄膜方面，則不論是直接加熱或退火處理者，均為Ge₂Sb₂Te₅相，厚度約46.7nm。 其中，除退火處理後的樣品繞射圖案峰值較為明顯外，經過兩次退火處理的雙層薄膜表面更存在許多缺陷，且由UV-visible光譜儀的量測結果，可得知這些表面缺陷造成雙層薄膜的穿透率有下降趨勢；另，由Hall量測儀的量測發現，本實驗所製備的薄膜樣品，以第一層直接加熱濺鍍，第二層濺鍍後退火處理的雙層薄膜具有最高的載子濃度。

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