期刊刊名：大葉學報 卷期：13卷1期
篇名出版日期：2004年6月1日
作者：陳勛祥,林愷
語言：Chinese
關鍵字：互補式金屬氧化物半導體低雜訊放大器,無線,全積體化放大器,低雜訊,雜訊指數,1-dB壓縮點,三階截止點,CMOS LNA, RF, wireless, fully integrated amplifier, low noise, noise figure, 1-dB compression, IP3
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摘要： 本論文描述出一個適用於RF（radio frequency，射頻）無線應用的CMOS LNA（互補式金屬氧化物半導體低雜訊放大器），使用0.25μm製程來設計一個工作於2.5V並且適用於2.38GHz的頻段。本論文主要模擬的重點在於此LNA的輸出入阻抗匹配、隔絕度、功率增益、線性度以及功率消耗，經由調整LNA電路各個組成，來設計出LNA電路的最佳效能。由模擬結果顯示出此LNA電路具有功率增益20dB、雜訊指數1.5dB、三階截止點（IP3）為 -18dB、功率消耗為18.5mW以及優良的輸出輸入阻抗匹配。
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