期刊刊名：大葉學報 　 卷期：13卷1期

篇名出版日期：2004年6月1日

作者：羅世嵩,黃俊達,游信強,朱育宏,柯富祥

語言：Chinese

關鍵字：電子束微影,奈米,電子束阻劑,electron-beam lithography, nano, electron-beam resistance

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閱讀時間：434sec

摘要：
本研究主要以微影系統來定義出奈米等級的圖案。利用電子束阻劑應用於電子束微影上，並且以黃光製程製造出小於60奈米的線寬。使用電子束微影技術很輕易的便能製作出100 nm以下的結構，能將電子元件之線寬微縮至60 nm以下。本研究對電子束光阻在微影製程、蝕刻等特性做製程方面的探討並比較不同線寬之效應。

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