期刊刊名：黎明學報 　 卷期：24卷1期

篇名出版日期：2013年1月31日

作者：蘇惟隆,陳俊男,Wei-Long Su,Chun-Nan Chen

語言：English

關鍵字：anisotropy, optical matrix element, substrate orientation, quantum well,各向異性,光矩陣元素,基板方向,量子阱

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摘要：
An analytical k．p method is applied to calculate the optical transition strength of zinc-blende semiconductor quantum wells. Optical matrix elements and hole effective masses in quantum wells are presented in explicit mathematical forms. Calculations are performed for In₀.₅₃Ga₀.₄₇As/InP quantum wells.

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