期刊刊名：南榮學報 　 卷期：18期

篇名出版日期：2015年7月1日

作者：王瑤池,廖士興,李榮哲

語言：Chinese

關鍵字：砷化鎵,光反射調制光譜,Franz-Keldysh Oscillations,內建電場,介面態密度

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摘要：
本文主要探討在砷化鎵( GaAs ) 表面成長不同的氧化物時其介面的光電特性。吾人以分子束磊晶成長法( MBE ) ， 分別在砷化鎵的表面成長以下的氧化物：air - ( 赤裸的表面) 、Al₂O₃ - 、Ga₂Ox - 和Ga₂O₃ (Gd₂O₃ ) -GaAs。從光反射調制光譜( Photoreflectance , PR ) 的Franz-Keldysh Oscillations ( FKO 振盪) ， 我們得到air- 、Al₂O₃ - 和Ga₂Ox -GaAs等樣品的介面內建電場分別等於48、44和38 kV/cm， 而Ga₂O₃ (Gd₂O₃ ) -GaAs的介面內建電場則小於21 kV / cm 。利用簡單平行板電容模型， 求得air-、Al₂O₃ -、和Ga₂Ox -GaAs樣品的介面態密度分為2.4 、2.2 、和1.9×10¹¹ cm⁻²eV⁻¹ ， 而Ga₂O₃ (Gd₂O₃ ) -GaAs 的介面態密度則小於10¹¹cm⁻² eV⁻¹。其量測結果與在準靜 / 高頻模式下， 以C - V 方法所測得之介面態密度極為吻合。

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